أسرع ذاكرة فلاش في عالم أشباه الموصلات

حقق فريق من الباحثين الصينيين إنجازاً مذهلاً في مجال تكنولوجيا الذاكرة، حيث تمكنوا من تطوير جهاز ذاكرة فلاش جديد يُعتبر الأسرع من نوعه في عالم أشباه الموصلات. يمكن لهذا الجهاز تخزين بت واحد من البيانات في زمن قياسي لا يتجاوز 400 بيكو ثانية، مما يحطم الأرقام القياسية السابقة في هذا المجال.

"بوكس": أسرع ذاكرة فلاش على الإطلاق

الذاكرة الجديدة التي تم تسميتها "بوكس" تنتمي إلى فئة الذاكرات غير المتطايرة، وقد أظهرت تفوقاً ملحوظاً في السرعة مقارنةً بالذاكرات المتطايرة التقليدية مثل SRAM وDRAM، التي تتراوح سرعتها بين 1 إلى 10 نانو ثانية. ولتوضيح الفارق، فإن البيكو ثانية الواحدة تعادل واحدًا من التريليون من الثانية، مما يجعل هذا الإنجاز استثنائيًا من حيث الكفاءة الزمنية.

تحديات الطاقة والسرعة: كيفية التغلب عليها بتقنية جديدة

لطالما كان تحقيق التوازن بين سرعة الأداء واستهلاك الطاقة تحديًا كبيرًا في تطوير تقنيات الذاكرة. فبينما تفقد الذاكرات المتطايرة البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي، فإن الذاكرات غير المتطايرة التقليدية تعاني من بطء ملحوظ في معالجة البيانات.
صلاح الدين الأيوبي الحلقة 31

ومع ذلك، بفضل التقنية الجديدة المعتمدة على قناة ديراك الجرافين ثنائية الأبعاد، استطاع الباحثون تطوير آلية فريدة تتجاوز هذه العقبات. هذا الابتكار يفتح الأبواب أمام جيل جديد من أجهزة الحوسبة الفائقة، مما سيكون له تأثير كبير على تطبيقات الذكاء الاصطناعي وغيرها من المجالات التقنية المتقدمة.